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3차원 메모리 어레이들 및 이를 형성하는 방법들이 제공된다. 예시적인 3차원 메모리 어레이는 적어도 절연 재료에 의해 서로로부터 분리된 복수의 제 1 도전성 라인들을 포함한 스택, 및 적어도 하나의 도전성 연장부가 복수의 제 1 도전성 라인들 중 적어도 하나의 부분을 교차하도록, 복수의 제 1 도전성 라인들에 실질적으로 수직으로 연장하도록 배열된 적어도 하나의 도전성 연장부를 포함할 수 있다. 저장 요소 재료는 적어도 하나의 도전성 연장부 주위에 형성된다. 셀 선택 재료는 적어도 하나의 도전성 연장부 주위에 형성된다. |
