| 摘要 |
본 발명의 과제는, 다결정 SiC 잉곳으로부터, 다결정 SiC 웨이퍼를 효율적으로 생성하고, 버려지는 비율을 경감시키는 다결정 SiC 웨이퍼의 생성 방법을 제공하는 것에 있다. 다결정 SiC 웨이퍼의 생성 방법으로서, 다결정 SiC 잉곳으로부터 다결정 SiC 웨이퍼를 생성하기 위한 계면을 형성하는 개질층 형성 공정에 있어서, 형성되는 상기 계면이, 펄스 레이저 광선의 집광점에서 다결정 SiC가 아몰퍼스 실리콘과 아몰퍼스 카본으로 분리되어 초기의 개질층이 형성되고, 그 후, 연속하여 조사되는 펄스 레이저 광선이 먼저 형성된 아몰퍼스 카본으로 흡수되면서 파워 밀도가 일정해지는 위치에서 아몰퍼스 실리콘과 아몰퍼스 카본으로 분리되어 형성된 개질층이 연쇄하여 형성되는 면인, 다결정 SiC 웨이퍼의 생성 방법. |
