| 摘要 |
본 명세서에 개시된 기법들은 대체 금속 게이트 제조 방식에서 소스/드레인 콘택들을 생성하기 위한 게이트 피치 스케일링(gate pitch scaling) 해결책을 제공한다. 이러한 기법들은 오정렬된 패턴들로부터의 에칭으로 인한 단락으로부터 게이트 전극들을 보호하는 자기 정렬 콘택 공정을 제공한다. 본 명세서에서의 기법들은 RMG 형성 구조물들의 비평면 토포그래피 상에 세미 컨포멀 물질 퇴적을 행하는 것, 그리고 종횡비를 과도하게 증가시키지 않는 이중 층 보호 캡을 얻기 위해 선택적 에칭 및 평탄화를 사용하는 것에 의해 형성되는 이중 층 캡을 제공한다. |
