发明名称 SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
摘要 본 개시는 반도체 발광소자에 있어서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 및 제1 반도체층과 제2 반도체층의 사이에 개재되어 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층; 식각되어 노출된 제1 반도체층에 형성된 제1 연장형 전극; 제1 연장형 전극을 덮도록 복수의 반도체층 위에 형성되어 활성층으로부터의 빛을 반사하는 절연성 반사막; 절연성 반사막 위에 형성되며, 제1 연장형 전극을 통해 제1 반도체층에 전자와 정공 중 하나를 공급하는 제1 전극; 그리고 절연성 반사막 위에서 형성되며, 제2 반도체층에 전자와 정공 중 나머지 하나를 공급하는 제2 전극;을 포함하며, 평면도로 볼 때, 제1 연장형 전극은 제2 전극과 중첩되지 않으며, 제1 전극과 제2 전극 사이에서 뻗는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.
申请公布号 KR101697960(B1) 申请公布日期 2017.01.20
申请号 KR20150089167 申请日期 2015.06.23
申请人 주식회사 세미콘라이트 发明人 진근모
分类号 H01L33/38 主分类号 H01L33/38
代理机构 代理人
主权项
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