| 摘要 |
본 발명은 수냉관을 길게 하여 결정의 성장 속도를 증가 시킬 수 있는 실리콘 잉곳 제조 장치에 관한 것으로서, 챔버와, 실리콘 용탕을 수용하도록 상기 챔버의 내부에 설치되는 도가니와, 상기 실리콘 용탕을 가열할 수 있도록 상기 도가니를 가열하는 히터와, 상기 실리콘 용탕으로부터 성장되는 실리콘 단결정 잉곳을 인상할 수 있도록, 상기 챔버에 설치되는 인상 장치와, 상기 실리콘 용탕과 상기 실리콘 단결정 잉곳의 경계면인 고액계면을 확인할 수 있도록 상기 챔버의 일측에 설치되는 센서 및 상기 실리콘 단결정 잉곳을 냉각할 수 있도록 상기 실리콘 단결정 잉곳의 주변에 설치되는 냉각 장치를 포함하고, 상기 냉각 장치는, 상기 실리콘 단결정 잉곳의 열을 빠르게 제거하여 결정의 성장 속도를 증가 시킬 수 있도록, 상기 냉각 장치의 끝단이 상기 센서의 센싱경로 보다 하방으로 연장되며, 상기 센싱경로를 가리지 않도록 센싱경로홀이 형성할 수 있다. |
