发明名称 PROCEDE DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT
摘要 L'invention concerne un Procédé de fabrication d'un substrat, comprenant les étapes suivantes : a. Fournir un substrat support (10) présentant un premier coefficient de dilation thermique, comprenant sur une de ses faces une première pluralité de tranchées (12) parallèles entre elles selon une première direction, et une seconde pluralité de tranchées (13) parallèles entre elles selon une seconde direction ; b. Transférer une couche utile (31), à partir d'un substrat donneur (30), sur le substrat support (10), la couche utile (31) présentant un second coefficient de dilatation thermique ; le procédé de fabrication étant caractérisé en ce que une couche de intermédiaire est intercalée entre la face avant (11) du substrat support (10) et la couche utile (31), la couche intermédiaire (20) présentant un coefficient de dilation compris entre le premier et le second coefficient de dilatation thermique.
申请公布号 FR3039003(A1) 申请公布日期 2017.01.20
申请号 FR20150001519 申请日期 2015.07.17
申请人 SOITEC 发明人 GUENARD PASCAL;BROEKAART MARCEL;BARGE THIERRY
分类号 H01L21/02 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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