| 摘要 |
유전성 물질(dielectric material)로 갭(gap)을 충진하는 신규한 방법이 제공된다. 상기 방법은 갭에 유동성 중합된 막을 플라즈마-보강형 화학적 기상 증착(PECVD)하고, 인-시추(in situ) 처리하여 상기 막을 유전성 물질로 변환하는 것을 포함한다. 다양한 실시예에 따르면, 인 시추 처리는 순수 열 처리 공정, 또는 플라즈마 처리 공정일 수 있다. 막을 컨포멀 공정으로 증착하는 종래의 고체 물질의 PECVD 공정과 달리, 증착이 갭의 보텀-업 충진(bottom-up fill)을 야기한다. 특정 실시예에서, 증착 - 인 시추 처리 - 증착 - 인 시추 처리 공정이 수행되어, 갭 내에 유전체 층을 형성할 수 있다. 갭의 보텀-업 충진을 위해 필요한 만큼 시퀀스가 반복된다. 또한 특정 실시예에서, 갭 충진이 완료된 후, 엑스 시추 후-처리 공정이 수행된다. (인 시추 처리와, (특정 경우) 엑스 시추 처리를 통해) 유동성 막을 증착하고 처리하는 상기 PECVD 방법은, 희망 전기적 및 기계적 속성을 갖는 막을 획득하도록 조정된다. 예를 들어, 특정 실시예에서, 3.0 이하의 유전 상수를 갖는 막이 형성된다. 또한 상기 공정은 프론트엔드 갭충진 및 백엔드 갭충진에 적용가능하다. |
