发明名称 PLASMA DEPOSITION SOURCE AND METHOD FOR DEPOSITING THIN FILMS
摘要 증착 가스를 플라즈마 상으로 전이시키고, 진공 챔버 내에서 기판 이송 방향으로 이동하는 기판 상에 플라즈마 상으로부터 박막을 증착하기 위한 플라즈마 증착 소스가 설명된다. 플라즈마 증착 소스는, 진공 챔버 내에 위치되도록 적응되며 이동하는 기판에 대향되게 배열된 적어도 하나의 RF 전극을 포함하는 다영역 전극 디바이스, 및 RF 전극에 RF 전력을 공급하도록 적응된 RF 전력 생성기를 포함한다. RF 전극은, RF 전극의 하나의 에지에 배열된 적어도 하나의 가스 유입구, 및 RF 전극의 대향된 에지에 배열된 적어도 하나의 가스 배출구를 갖는다. 전극 길이로 제산된 플라즈마 볼륨에 의해, 정규화된 플라즈마 볼륨이 제공되고, 플라즈마 볼륨은 전극 표면 및 대향하는 기판 위치 사이에서 정의된다. 정규화된 플라즈마 볼륨은 증착 가스의 공핍 길이로 튜닝된다.
申请公布号 KR101698446(B1) 申请公布日期 2017.01.20
申请号 KR20117030911 申请日期 2010.05.25
申请人 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 发明人 모리슨, 네일;헤어초크, 안드레;하인, 슈테판;스쿠크, 페터
分类号 H01J37/32;C23C14/50 主分类号 H01J37/32
代理机构 代理人
主权项
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