DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE A ELEMENTS SEMICONDUCTEURS TRIDIMENSIONNELS ET SON PROCEDE DE FABRICATION

摘要

L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique (50) comprenant des éléments semiconducteurs (20) filaires, coniques ou tronconiques comportant majoritairement un composé III-V, chaque élément semiconducteur s'étendant selon un axe et comprenant une portion (54) dont les faces latérales (55) sont recouvertes d'une coque (56) comprenant au moins une zone active (31), dans lequel les portions sont réalisées par croissance continue dans un réacteur et dans lequel la température dans réacteur varie sans interruption d'une première valeur de température qui favorise la croissance de premiers plans cristallographiques perpendiculaires audit axe, à une deuxième valeur de température, inférieure strictement à la première valeur de température, qui favorise la croissance de deuxièmes plans cristallographiques parallèles audit axe.