| 摘要 |
【課題】パッシベーション膜が配線層膜より薄く、ボンディング時のストレス耐性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】ボンディングパッド３０１と空隙６０１を介し配線層３０３が配置され、パッシベーション膜４０１はボンディングパッド３０１を形成する配線層の膜厚より薄く、空隙の幅はパッシベーション膜厚の２倍以下とする。ボンディングパッド３０１の側壁を覆うパッシベーション膜４０１の縦方向の厚みはボンディングパッド３０１の縦方向の厚みよりも厚いものとなり、ボンディング時のストレス耐性が高くなり、パッシベーション膜４０１のクラック発生を抑制する。【選択図】図２ |
