发明名称 光電変換素子の製造方法
摘要 本発明は、光電変換効率に優れ、かつ、高い耐久性を有する光電変換素子の製造方法を提供することを目的とする。本発明は、基板、第一電極、短絡防止層、半導体および増感色素を含有する光電変換層、導電性高分子を含有する正孔輸送層、並びに第二電極をこの順に有する光電変換素子の製造方法であって、垂直堆積法により前記短絡防止層を形成する工程(1)と、導電性高分子前駆体を前記光電変換層と接触させ、酸化剤存在下で前記増感色素に光を照射して前記導電性高分子前駆体を重合することにより前記正孔輸送層を形成する工程(2)と、を含む、製造方法を提供する。【選択図】図1
申请公布号 JPWO2014109355(A1) 申请公布日期 2017.01.19
申请号 JP20140556433 申请日期 2014.01.09
申请人 コニカミノルタ株式会社 发明人 石川 貴之;磯部 和也;山根 千草
分类号 H01L51/44;H01G9/20;H01L51/48 主分类号 H01L51/44
代理机构 代理人
主权项
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