| 摘要 |
亜鉛（Ｚｎ）、及び、ガリウム（Ｇａ）又はアルミニウム（Ａｌ）又はホウ素（Ｂ）、及び、ゲルマニウム（Ｇｅ）又はケイ素（Ｓｉ）、及び、マグネシウム（Ｍｇ）、及び、酸素（Ｏ）、及び、フッ素（Ｆ）からなり、ガリウム（Ｇａ）又はアルミニウム（Ａｌ）又はホウ素（Ｂ）の含有量がＧａ2Ｏ3又はＡｌ2Ｏ3又はＢ2Ｏ3換算でＡｍｏｌ％、ゲルマニウム（Ｇｅ）又はケイ素（Ｓｉ）の含有量がＧｅＯ2又はＳiＯ2換算でＢｍｏｌ％、マグネシウム（Ｍｇ）の含有量がＭｇＦ2換算でＣｍｏｌ％としたとき、１０≦Ａ＋Ｂ＋Ｃ≦７０であることを特徴とする焼結体。特に、バルク抵抗が低くＤＣスパッタリングが可能であり、低屈折率のアモルファス薄膜を形成することができる。【選択図】なし |
