| 摘要 |
【課題】ＣＯＰおよび転位クラスタを含まない低酸素濃度シリコン単結晶のＤＳＯＤ良否判定を可能とする新たな手段を提供すること。【解決手段】チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶インゴットから切り出されたサンプルに、Ｃｕ汚染、所定の加熱冷却処理および選択エッチングを含む処理１または所定の前処理の後に処理１を行う処理２を施すこと、処理１または処理２後のサンプル表面においてピットが局在した領域が広いほどＤＳＯＤが多いと判定する判定基準に基づき、ＤＳＯＤ良否判定を行うこと、を含むシリコン単結晶の検査方法。前記サンプルはＣＯＰおよび転位クラスタを含まず、処理１を施すサンプルの格子間酸素濃度（旧ＡＳＴＭ）は７．５Ｅ１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、処理２を施すサンプルの格子間酸素濃度（旧ＡＳＴＭ）は５．０Ｅ１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１０．０Ｅ１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である。【選択図】なし |
