| 摘要 |
【課題】従来のクロム系材料膜と同等の特性を確保しつつドライエッチング速度を向上させることを可能とすること。【解決手段】０．１原子％以上で１１．５原子％以下の濃度範囲でスズを含んだ無機材料膜であれば、スズが局在化して粒子を形成し、これが光学膜中の欠陥となる問題が回避される。本発明に係る無機材料膜は、スパッタリングにより成膜されたクロム系材料からなるフォトマスクブランク用の無機材料膜であって、該無機材料膜は導電性を有する遮光層を含み、該遮光層は、０．１原子％以上で１１．５原子％以下のスズと１５原子％以下の酸素を含有する。なお、酸素濃度の下限は例えば３原子％である。また、無機材料膜は導電性を有するが、抵抗値で評価した場合に５０００Ω／ｃｍ2以下であることが好ましい。【選択図】図１ |
