| 摘要 |
【課題】半導体素子の作製時に用いた基板から、半導体素子を含む素子形成層を剥離するときに、剥離によって発生した静電気による放電を抑える。【解決手段】基板１０上に剥離層１２、素子形成層１１を形成する。素子形成層１１の上面には、後で剥離可能な支持基材１３が固定される。支持基材１３を介して、素子形成層１１を変形させ、素子形成層１１と剥離層１２の界面で剥離を生じさせる。剥離によって逐次現れる素子形成層１１および剥離層１２が純水などの液体１５で濡れるように、液体１５を供給しながら剥離を行う。液体１５により素子形成層１１および剥離層１２の表面に発生した電荷が拡散され、剥離帯電による放電をなくすことができる。【選択図】図３ |
