发明名称 半導体装置
摘要 【課題】回路構成が簡略化され、安定して動作可能なワード線分割回路を提供する。また、回路構成が簡略化され、安定して動作可能な記憶装置を提供する。【解決手段】ワード線と、サブワード線との間に、リーク電流が極めて低減されたトランジスタを直列に接続し、ワード線分割回路を構成すればよい。当該トランジスタには、チャネルが形成される半導体層に酸化物半導体を含むトランジスタを適用できる。また、このような回路構成が簡略化されたワード線分割回路を、記憶装置に適用すればよい。【選択図】図1
申请公布号 JP2017016728(A) 申请公布日期 2017.01.19
申请号 JP20160195544 申请日期 2016.10.03
申请人 株式会社半導体エネルギー研究所 发明人 長塚 修平;松嵜 隆徳;井上 広樹
分类号 G11C11/413;G11C11/401;G11C11/407;H01L21/8242;H01L21/8244;H01L27/108;H01L27/11;H01L29/786 主分类号 G11C11/413
代理机构 代理人
主权项
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