| 摘要 |
촬상 장치는 기판 내에 배치된 제1 도전형의 제1 반도체 영역과, 제1 반도체 영역 내에 배치되어 전하 축적 영역을 구성하는 제2 도전형의 제2 반도체 영역을 포함한다. 제2 반도체 영역은 기판의 표면에 따른 방향으로 배치된 복수의 부분을 포함한다. 전위 장벽이 복수의 부분의 사이에 형성된다. 제1 반도체 영역으로부터 제2 반도체 영역으로의 공핍 영역의 확대에 의해 제2 반도체 영역의 전체가 공핍화된다. 제2 반도체 영역 중 최후에 공핍화되는 최종 공핍화 부분이, 제1 반도체 영역 중 최종 공핍화 부분의 측방에 위치하는 부분으로부터 공핍 영역의 확대에 의해 공핍화된다. |
