发明名称 半導体装置
摘要 【課題】主端子からの放熱を向上させることができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、金属ベースと、金属ベースに接着された枠形状の樹脂ケースと、主電極を有し、樹脂ケースの内側に配置された半導体チップと、半導体チップの主電極と電気的に接続され、樹脂ケースに一体的に固定され、樹脂ケースの内側で露出する内側の端部、及び樹脂ケースの外側で露出する外側の端部を有する主端子と、金属ベースと主端子の内側の端部との間に、金属ベースに接して配置され、樹脂ケースよりも熱伝導率が高い放熱部材と、を備えている。【選択図】図1
申请公布号 JP2017017109(A) 申请公布日期 2017.01.19
申请号 JP20150130242 申请日期 2015.06.29
申请人 富士電機株式会社 发明人 小松 康佑
分类号 H01L23/36;H01L25/07;H01L25/18 主分类号 H01L23/36
代理机构 代理人
主权项
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