| 摘要 |
半導体装置は、第１導電型のコンタクト領域と、第２導電型のボディ領域と、第１導電型のドリフト領域と、トレンチと、絶縁膜と、ゲート電極と、第２導電型のフローティング領域とを有する。トレンチは、半導体基板の表面からコンタクト領域及びボディ領域を貫通して形成され、その底部がドリフト領域内に位置している。絶縁膜は、トレンチの内面を覆う。ゲート電極は、絶縁膜で覆われた状態でトレンチ内に収容されている。フローティング領域は、ドリフト領域内のうちトレンチの底部より深い位置に設けられているとともに、トレンチの底部に隣接する。フローティング領域は、トレンチの底部に隣接している第１層と、第１層よりも深い位置に設けられている第２層とを有している。第１層の幅は、第２層の幅よりも広い。 |
