半導体基板の製造方法及び半導体基板

摘要

【課題】大掛かりな装置を必要としない簡便な方法で、半導体基板と酸化膜との界面の界面準位密度を低減することができる半導体基板の製造方法及び半導体基板を提供する。【解決手段】ＭＯＳ構造を有する半導体基板の製造方法であって、半導体基板上に酸化膜を形成し、該酸化膜上に電極を形成してＭＯＳ構造を作製した後、水素を含有した窒素雰囲気中で、前記ＭＯＳ構造の前記電極が形成された表面側又は、該表面と反対側の裏面側にコロナチャージを行うことを特徴とする半導体基板の製造方法。【選択図】 図１