Leistungshalbleitereinheit

摘要

Bei der vorliegenden Erfindung weist eine Leistungshalbleitereinheit Folgendes auf: einen ersten Basis-Bereich mit einem ersten Leitfähigkeitstyp; einen zweiten Basis-Bereich mit einem zweiten Leitfähigkeitstyp; zumindest drei gegenseitig parallele Vertiefungen, die so angeordnet sind, dass sie von der Oberfläche des zweiten Basis-Bereichs bis zu dem ersten Basis-Bereich reichen, und die derart angeordnet sind, dass die erste Vertiefung und die dritte Vertiefung die zweite Vertiefung sandwichartig dazwischen anordnen; eine isolierende Schicht, welche die Innenwände der Vertiefungen bedeckt; leitfähige Trench-Gates, die auf die Oberseite der isolierenden Schicht aufgetragen sind; einen Emitter-Bereich mit dem ersten Leitfähigkeitstyp, der in dem zweiten Basis-Bereich zwischen der ersten Vertiefung und der zweiten Vertiefung so angeordnet ist, dass er sich in Kontakt mit der ersten Vertiefung befindet, und der mit einer Emitter-Elektrode verbunden ist; sowie einen Kollektor-Bereich mit dem zweiten Leitfähigkeitstyp, der in dem ersten Basis-Bereich angeordnet ist. Die Trench-Gates, die in der ersten und der dritten Vertiefung eingebettet sind, sind mit Gate-Elektroden verbunden, und das Trench-Gate, das in der zweiten Vertiefung eingebettet ist, ist mit der Emitter-Elektrode verbunden.