Halbleitervorrichtung mit isoliertem Gate und Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung mit isoliertem Gate

摘要

Eine hier offenbarte Halbleitervorrichtung mit isoliertem Gate enthält eine Vorderseitenelektrode und eine Rückseitenelektrode und ist konfiguriert um einen leitenden Pfad zwischen der Vorderseitenelektrode und der Rückseitenelektrode zu schalten. Die Halbleitervorrichtung mit isoliertem Gate enthält einen ersten umlaufenden Graben in der vorderen Oberfläche; einen zweiten umlaufenden Graben in der vorderen Oberfläche tiefer als der erste umlaufende Graben; ein fünftes Gebiet eines zweiten Leitfähigkeitstyps das auf einer Bodenoberfläche des ersten umlaufenden Grabens freiliegt; ein sechstes Gebiet zweiten Leitfähigkeitstyps das auf einer Bodenoberfläche des zweiten umlaufenden Grabens freiliegt; und ein siebtes Gebiet eines ersten Leitfähigkeitstyps das mit dem dritten Gebiet verbunden ist und das fünfte Gebiet von dem sechsten Gebiet trennt. Ein Vorderseitenendabschnitt des sechsten Gebiets der in Bezug auf einen Rückseitenabschnitt des fünften Gebiets auf einer Rückseite angeordnet ist.