发明名称 レジスト組成物及びパターン形成方法
摘要 【課題】液浸リソグラフィーにおいてはレジスト表面の滑水性をよりいっそう高め、EBやEUVリソグラフィーにおいてはアウトガスの発生を一段と抑えて、エッジラフネスを小さくすることが可能となるレジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)フッ素原子含有ポリマー、(B)ベース樹脂、(C)酸発生剤、(D−1)炭素数5〜8のケトン類、アルコキシ基、カルボニル基及びエステル基から選ばれる1つ以上を含む炭素数4〜6のアルコール類、ヒドロキシ基又は2つのエーテル基を含む炭素数3〜6のエーテル類、並びにエーテル基又はヒドロキシ基を含む炭素数4〜9のエステル類から選ばれる第1の溶剤、及び(D−2)炭素数6〜9の単環のラクトン環を含む第2の溶剤を含み、前記第2の溶剤がベース樹脂100質量部に対して200質量部を超え1,000質量部以下の範囲で添加されているレジスト組成物。【選択図】なし
申请公布号 JP2017016115(A) 申请公布日期 2017.01.19
申请号 JP20160118574 申请日期 2016.06.15
申请人 信越化学工業株式会社 发明人 畠山 潤;阿達 鉄平
分类号 G03F7/004;C08F20/22;G03F7/039 主分类号 G03F7/004
代理机构 代理人
主权项
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