发明名称 発光素子
摘要 【課題】ITOなどの透明電極をスパッタリング法によって成膜する際のダメージが抑制された素子構造を提供する。【解決手段】蒸着法で形成されたモリブデン酸化物を含む層を、スパッタリング法により形成されるITOなどの透明電極に接して下側に設ける。スパッタリング法によるダメージをモリブデン酸化物によって抑制できる。【選択図】なし
申请公布号 JP2017017044(A) 申请公布日期 2017.01.19
申请号 JP20160209370 申请日期 2016.10.26
申请人 株式会社半導体エネルギー研究所 发明人 斎藤 恵子;池田 寿雄
分类号 H05B33/26;H05B33/28;H01L29/04;H01L51/50;H05B33/10;H05B33/12;H05B33/22 主分类号 H05B33/26
代理机构 代理人
主权项
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