发明名称 Semiconductor device fabricating method thereof and semiconductor package comprising the semiconductor device
摘要 반도체 장치, 그 제조 방법, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 반도체 패키지가 제공된다. 반도체 장치는 제1 면, 및 상기 제1 면과 반대되며 트렌치가 형성된 제2 면을 갖는 기판, 상기 기판 내에 형성된 비아홀을 채우며 상기 비아홀의 내벽으로부터 순차적으로 형성된 비아홀 절연막, 배리어막, 및 도전성 연결부를 포함하는 관통 비아, 상기 제2 면 상에 형성되며 상기 관통 비아의 일정 영역을 노출하는 절연막, 및 상기 트렌치 내에 매립되며, 상기 관통 비아와 전기적으로 연결되는 재배선을 포함하되, 상기 절연막은 상기 도전성 연결부의 일정 영역과 중첩한다.
申请公布号 KR101697573(B1) 申请公布日期 2017.01.19
申请号 KR20100119757 申请日期 2010.11.29
申请人 삼성전자 주식회사 发明人 이호진;조태제;장동현;송호건;정세영;강운병;윤민승
分类号 H01L21/768;H01L23/48;H01L23/525;H01L25/065 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人
主权项
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