发明名称 光電変換素子、撮像装置
摘要 【課題】撮像性能の優れた撮像装置を提供する。または、低照度下での撮像が容易な撮像装置を提供する。または、低消費電力の撮像装置を提供する。または、画素間の特性ばらつきの小さい撮像装置を提供する。または、集積度の高い撮像装置を提供する。【解決手段】第1の電極と、第1の層と、第2の層と、第3の層と、を有し、第1の層は、第1の電極と第3の層との間に設けられ、第2の層は、第1の層と第3の層との間に設けられ、第1の層は、セレンを有し、第2の層は、金属酸化物を有し、第3の層は、金属酸化物を有し、第3の層は、さらに、希ガス原子、リン、または、ホウ素の少なくとも一つを有する、光電変換素子である。前記セレンは、結晶セレンとしてもよい。第2の層は、c軸配向した結晶を有するIn−Ga−Zn酸化物としてもよい。【選択図】図1
申请公布号 JP2017017324(A) 申请公布日期 2017.01.19
申请号 JP20160129999 申请日期 2016.06.30
申请人 株式会社半導体エネルギー研究所 发明人 山崎 舜平;野中 裕介;堅石 李甫;大木 博史;佐藤 優一;松林 大介
分类号 H01L31/107;H01L27/14;H01L27/146;H01L29/786;H04N5/369 主分类号 H01L31/107
代理机构 代理人
主权项
地址