| 摘要 |
【課題】約１３．５ｎｍの露光波長を用いる極端紫外光リソグラフィ（ＥＵＶＬ）用であって、１００ｎｍ〜３００ｎｍのアウト・オブ・バンド波長範囲の平均反射率が最大でも露光波長の平均反射率の５０％である反射フォトマスクを提供する。【解決手段】反射フォトマスク２００は、低熱膨張材料の基板層を有する基板１１０を含む。基板層は、低熱膨張材料の第１の構造形態の主要部分１１２と第２の構造形態の補助部分１１１とを含む。補助部分は、基板のパターン部を取り囲むフレーム部に形成されている。基板の第１の面に多層膜ミラー１２５が形成されている。多層膜ミラーを通って延びるフレームトレンチが、フレーム部における基板を露出させている。補助部分は、アウト・オブ・バンド放射に対する散乱中心を含み得る。【選択図】図１Ｂ |
