发明名称 半導体材料、半導体材料の製造方法、n型半導体材料とp型半導体材料の組み合わせ、複合型半導体材料の製造方法、複合型半導体材料および素子
摘要 【課題】利用価値が高く、新たな利用形態を提供できる半導体材料を提供する。【解決手段】導電性ポリマーとドーパントを含む半導体材料であって、ドーパントの濃度によって半導体の型が転換する。【選択図】なし
申请公布号 JP2017017179(A) 申请公布日期 2017.01.19
申请号 JP20150132427 申请日期 2015.07.01
申请人 国立大学法人九州大学 发明人 ファン ソンビン;安達 千波矢
分类号 H01L35/24;C08G61/12;H01L35/34;H01L51/00;H01L51/30;H01L51/40 主分类号 H01L35/24
代理机构 代理人
主权项
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