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Eine Halbleitervorrichtung (1) kann einen Graben bzw. Trench (61), eine gateisolierende filmartige Schicht (62), die den Graben (61) bedeckt, trägerinjizierte Bereiche mit erster Leitfähigkeit (24), die intermittierend entlang einer vorbestimmten Richtung in Erscheinung treten, einen Driftbereich mit erster Leitfähigkeit (22), der kontinuierlich entlang der vorbestimmten Richtung vorhanden ist, einen Körperbereich mit zweiter Leitfähigkeit (23), der eine Lücke zwischen den trägerinjizierten Bereichen (24) füllt, wenn er entlang der vorbestimmten Richtung betrachtet wird, und eine Gateelektrode (63) umfassen, die in dem Graben (61) angeordnet ist. Eine vordere Endoberfläche, die auf der Seite der vorderen Oberfläche (10a) der Gateelektrode (63) angeordnet ist, kann eine erste Endoberfläche (63a) bei einem Abschnitt der Gateelektrode (63), der den trägerinjizierten Bereichen (24) über die gateisolierende filmartige Schicht (62) gegenüberliegt, und eine zweite Endoberfläche (63b) umfassen, die zumindest ein Teil eines Abschnitts der Gateelektrode (63) ist, die dem Körperbereich (23) in der Lücke gegenüberliegt. Die zweite Endoberfläche (63b) kann zu der Seite der hinteren Oberfläche (10b) in Bezug auf die erste Endoberfläche (63a) versetzt sein. |
