| 摘要 |
質量％または質量ｐｐｍで、Ｃ：０．０８％以下、Ｓｉ：２．０〜４．５％およびＭｎ：０．５％以下を含有すると共に、Ｓ，ＳｅおよびＯをそれぞれ５０ｐｐｍ未満、ｓｏｌ．Ａｌを１００ｐｐｍ未満に抑制し、さらにＮをｓｏｌ．Ａｌ／（２６．９８／１４．００）ｐｐｍ≦Ｎ≦８０ｐｐｍの範囲に制御し、残部はＦｅおよび不可避的不純物の組成からなる鋼スラブを、再加熱することなくまたは再加熱後、熱間圧延により熱延板としたのち、焼鈍および圧延を施して最終板厚の冷間圧延板とし、ついで一次再結晶焼鈍の途中あるいは焼鈍後に、窒素増量が５０ｐｐｍ以上１０００ｐｐｍ以下となる窒化処理を施したのち、焼鈍分離剤を塗布し、二次再結晶焼鈍の昇温過程において３００〜８００℃間の滞留時間を５時間以上１５０時間以下として、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）を粒界上に析出させ、この窒化珪素を正常粒成長の抑制力として機能させることにより、磁気特性のバラつきを大幅に低減して、良好な特性を有する方向性電磁鋼板を工業的に安定して製造する。 |
