ホスフィンオキシド母材及び金属ドーパントを含むｎ−ドープされた半導体材料

摘要

本発明は、ｎ−ドーパントとして１以上の金属元素と、１以上のホスフィンオキシド基を含む１以上の電子輸送母材化合物とを含む電子的にドープされた半導体材料、その合成方法、及び、前記電子的にドープされた半導体材料を含む電子デバイスに関する。