マスク上の構造体の位置を測定し、それによってマスク製造誤差を決定する方法

摘要

本発明は、マスク上の構造体の位置を測定し、それによってマスク製造誤差を決定する方法を開示する。複数の測定サイトから、マスク上の構造体の位置測定に対する光学近接効果の影響が計測ツールによって決定されることを示している。構造体のデータ表現のレンダリングされた画像が取得される。さらに、マスク上の領域内のパターンの少なくとも１つの光学像が、計測ツールの結像系によって取り込まれる。計測ツールの視野は、マスク設計データの選択された領域のサイズとほぼ同一である。最後に、製造に基づく近接効果を示す残差が決定される。