发明名称 半導体装置とその製造方法
摘要 【課題】個片CSPがWLCSPに実装された半導体装置において、ウェハ状態のWLCSPに個片CSPを実装する際に確実にセルフアラインメントが行われて個片CSPのバンプとWLCSPの接続パッドが接続されるようにするためのダミーポスト電極が形成されたWLCSPを備えた半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板と、該基板上に形成された再配線層と、該再配線層に接続されて前記基板上に形成された接続パッドと、前記基板上に形成されたポスト電極と、該ポスト電極間の前記基板上に形成されたダミーポスト電極と、前記ポスト電極の表面に形成された突起状電極と備えたWLCSPと、フェイスダウンにより、前記WLCSPに実装された個片CSPとを備え、前記個片CSPが前記WLCSPに実装される際に、前記個片CSPの所定位置からの変動が、前記ダミーポスト電極で制限されることを特徴とする。【選択図】 図1
申请公布号 JP2017017094(A) 申请公布日期 2017.01.19
申请号 JP20150129954 申请日期 2015.06.29
申请人 株式会社吉川アールエフセミコン 发明人 猪野 好彦;仲原 亨
分类号 H01L25/065;H01L23/12;H01L25/07;H01L25/18 主分类号 H01L25/065
代理机构 代理人
主权项
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