发明名称 Piezoelektrisches Oxid-Einkristallsubstrat
摘要 [Aufgaben] Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ein piezoelektrisches Oxid-Einkristallsubstrat bereitzustellen, das in einem akustischem Oberflächenwellengerät und dergleichen verwendet wird, welches sich kaum einer Wölbung unterzieht, und nicht einfach bricht oder verkratzt wird, und eine gute Temperaturcharakteristik aufweist. [Mittel zur Lösung] Die vorliegende Erfindung stellt ein piezoelektrisches Oxid-Einkristallsubstrat bereit, welches ein Konzentrationsprofil aufweist, so dass sich die Li-Konzentration zwischen der Substratoberfläche und einem Mittelteil des Substrats unterscheidet; insbesondere ist das Konzentrationsprofil so, dass, in der Richtung der Dicke des Substrats, die Li-Konzentration umso höher wird, je näher der Messpunkt zu der Substratoberfläche ist, und die Li-Konzentration umso niedriger wird, je näher der Messpunkt zu dem Mittelteil in der Dickenrichtung des Substrats ist. Auch ist in dem piezoelektrischen Oxid-Einkristallsubstrat der vorliegenden Erfindung der Bereich von der Substratoberfläche zu einem Punkt, wo die Li-Konzentration beginnt sich zu verringern, oder zu einem Punkt, wo die Li-Konzentration aufhört sich zu erhöhen, von einer pseudostöchiometrischen Zusammensetzung, und der Mittelteil in der Dickenrichtung des Substrats ist von einer annähernd kongruenten Zusammensetzung.
申请公布号 DE112015002181(T5) 申请公布日期 2017.01.19
申请号 DE20151102181T 申请日期 2015.04.30
申请人 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 发明人 Tanno, Masayuki;Abe, Jun;Kuwabara, Yoshinori
分类号 H03H9/145;H01L41/187;H03H9/25 主分类号 H03H9/145
代理机构 代理人
主权项
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