| 摘要 |
ドレイン・ドリフト部（２）は、素子活性部（２１）となるｐベース領域（３ａ）の直下部分に概ね相当し、第１のｎ型領域（２ａ）と第１のｐ型領域（２ｂ）とを交互に繰り返して接合してなる第１の並列ｐｎ構造である。ドレイン・ドリフト部（２）の周りは、第１の並列ｐｎ構造に連続して配向する第２のｎ型領域（１２ａ）と第２のｐ型領域（１２ｂ）とを交互に繰り返して接合してなる第２の並列ｐｎ構造からなる素子周縁部（２２）となっている。第１，２の並列ｐｎ構造とｎ+ドレイン層（１）との間には、ｎバッファ層（１１）が設けられている。素子周縁部（２２）におけるｎ+ドレイン層（１）の内部には、ｎ+ドレイン層（１）を深さ方向に貫通するｐ+ドレイン領域（１７）が選択的に設けられている。これにより、オン抵抗と耐圧とのトレードオフ関係を大幅に改善することができる超接合半導体素子において、破壊耐量を向上させることができる。 |
