发明名称 グラフェン形成方法および装置
摘要 【課題】損傷など与えることなく、様々な基板の上に直接にグラフェンのパターンが形成できるようにする。【解決手段】まず、第1工程S101で、基板の上に炭素を含む化合物のプラズマを供給する(プラズマ供給工程)。また、第2工程102で、プラズマが供給されている基板の表面のグラフェン形成領域にレーザーを照射する(レーザー照射工程)。これらのことにより、基板の表面のグラフェン形成領域にグラフェンを形成する。炭素を含む化合物は、CH4であればよい。プラズマは、CH4とArとの混合ガスより生成したものであれば良い。基板のグラフェン形成領域の表面は、照射するレーザーを吸収する材料から構成されていると良い。【選択図】 図1
申请公布号 JP2017014086(A) 申请公布日期 2017.01.19
申请号 JP20150134922 申请日期 2015.07.06
申请人 日本電信電話株式会社;国立大学法人九州大学 发明人 古川 一暁;高村 真琴;日比野 浩樹;池上 浩;服部 正和
分类号 C01B32/15;C01B32/18;C01B32/182 主分类号 C01B32/15
代理机构 代理人
主权项
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