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发明名称
半導体装置
摘要
【課題】新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。【解決手段】第1の配線と、第2の配線と、第3の配線と、第4の配線と、第1のゲート電極、第1のソース電極、および第1のドレイン電極を有する第1のトランジスタと、第2のゲート電極、第2のソース電極、および第2のドレイン電極を有する第2のトランジスタと、を有し、第1のトランジスタは、半導体材料を含む基板に設けられ、第2のトランジスタは酸化物半導体層を含んで構成された半導体装置である。【選択図】図1
申请公布号
JP2017017357(A)
申请公布日期
2017.01.19
申请号
JP20160203518
申请日期
2016.10.17
申请人
株式会社半導体エネルギー研究所
发明人
山崎 舜平;小山 潤;加藤 清
分类号
H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/108;H01L29/786
主分类号
H01L21/8242
代理机构
代理人
主权项
地址
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