電界効果トランジスタ

摘要

電界効果トランジスタは、ｐ型Ｓｉ基板上に形成された、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）からなるコドープ層と、コドープ層の上に形成されたＧａＮ層と、ＧａＮ層の上に形成されたＡｌＧａＮ層とを備え、コドープ層は、不純物元素としてＣとＳｉとを含み、コドープ層におけるＣの不純物濃度は５×１０１７／ｃｍ３以上であり、コドープ層におけるＳｉの不純物濃度はＣの不純物濃度よりも低く、ＧａＮ層におけるＣの不純物濃度は１×１０１７／ｃｍ３以下であり、ＧａＮ層の膜厚は０．７５μｍ以上である。