| 摘要 |
【課題】高品質な窒化物半導体を有する、紫外線ＬＥＤ用途に適した、導電性を有する透明な窒化物半導体テンプレート及びそれを用いて製造される紫外線ＬＥＤを提供する。【解決手段】Ｇａ２Ｏ３基板１１と、その上に形成された、ＡｌＮを主成分とするバッファ層１２と、その上に形成された、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０．２＜ｘ≦１）を主成分とする第１の窒化物半導体層１３と、その上に形成された、ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０．２≦ｙ≦０．５５、ｙ＜ｘ）を主成分とする第２の窒化物半導体層１４と、その上に形成された、Ｉｎｕ１Ａｌｖ１Ｇａｗ１Ｎ（０．０２≦ｕ１≦０．０３、ｕ１＋ｖ１＋ｗ１＝１）層の両面をＩｎｕ２Ａｌｖ２Ｇａｗ２Ｎ（０．０２≦ｕ２≦０．０３、ｕ２＋ｖ２＋ｗ２＝１、ｖ１＋０．０５≦ｖ２≦ｖ１＋０．２）層で挟んだ構造を含む多層構造を有する第３の窒化物半導体層１５と、を有する窒化物半導体テンプレート１０を提供する。【選択図】図６ |
