| 摘要 |
活性領域（１０）とｐ+分離領域（４１）との間に、活性領域（１０）を囲む順方向終端構造（２０）が設けられている。順方向終端構造（２０）とｐ+分離領域（４１）との間に、順方向終端構造（２０）を囲む逆方向終端構造（３０）が設けられている。順方向終端構造（２０）は、複数の第１ＦＬＲ（２１）と、第１ＦＬＲ（２１）に導電接続された第１ＦＰ（２２）とからなる。逆方向終端構造（３０）は、複数の第２ＦＬＲ（３１）と、第２ＦＬＲ（３１）に導電接続された第２ＦＰ（３２）とからなる。逆方向終端構造（３０）において、ｎ-半導体基板のおもて面の表面層には、ｐ+分離領域（４１）に接し、かつ１つ以上の第２ＦＬＲ（３１）を内包する第２ｎ型領域（３５）が設けられている。第２ｎ型領域（３５）のドーズ量は、例えば０．１×１０12／ｃｍ2〜１．６×１０12／ｃｍ2である。 |
