| 摘要 |
【課題】ツェナーダイオード領域を備えることで十分なロードダンプ耐量を持ちながら、従来に比べて、低い順方向電圧（低ＶＦ）および低い逆方向リーク電流（低ＩＲ）を実現することができるダイオードを提供すること。【解決手段】１×１０１６ｃｍ−３〜２．４×１０１７ｃｍ−３の不純物濃度を有するエピタキシャル層４（ｎ−型層６）と、エピタキシャル層４に選択的に形成され、エピタキシャル層４との間にｐｎ接合を形成するｐ＋型ツェナーダイオード領域１４と、エピタキシャル層４上に配置され、エピタキシャル層４との間にショットキー接合を形成し、３ｅｖ〜６ｅｖの仕事関数を有するショットキーメタル１２と、エピタキシャル層４のショットキー接合領域に選択的に形成された複数のｐ＋型領域３４からなるＪＢＳ（Junction Barrier Schottky）構造３３とを含む、ダイオード２を提供する。【選択図】図２ |
