发明名称 |
半導体装置の作製方法 |
摘要 |
【課題】電気特性が良好で信頼性の高い薄膜トランジスタ及び当該薄膜トランジスタをスイッチング素子として用いた表示装置を提供することを課題とする。【解決手段】チャネル形成領域に酸化物半導体を用いたチャネル保護型の薄膜トランジスタであって、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、チャネル形成領域の表層部にはナノクリスタルで構成された結晶領域を有し、その他の部分は非晶質、または非晶質領域中に微結晶が点在した非晶質と微結晶の混合物で形成されている。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や酸素の脱離によるN型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極との接触抵抗を下げることができる。【選択図】図1 |
申请公布号 |
JP2017017328(A) |
申请公布日期 |
2017.01.19 |
申请号 |
JP20160161653 |
申请日期 |
2016.08.22 |
申请人 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
发明人 |
山崎 舜平;坂倉 真之;渡邊 了介;坂田 淳一郎;秋元 健吾;宮永 昭治;廣橋 拓也;岸田 英幸 |
分类号 |
H01L21/336;H01L21/28;H01L29/417;H01L29/786;H01L51/50;H05B33/14 |
主分类号 |
H01L21/336 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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