发明名称 TFT电极引线制造方法
摘要 本发明公开了一种TFT电极引线制造方法,提出一种优化的电极引线制造方法,通过在传统TFT电极层材料之上,制作非晶化的ITO保护层,制作工艺简单,但可将干法刻蚀工艺对TFT金属电极层的刻蚀选择比达到无穷大,保护了金属电极免受干刻工艺制程影响,可大幅提高金属电极层的可靠性;同时干刻工艺制程无需频繁对干刻速率进行标定,可大量节省工艺实时监控成本。
申请公布号 CN103996618B 申请公布日期 2017.01.18
申请号 CN201410193671.4 申请日期 2014.05.09
申请人 上海大学 发明人 李喜峰;陈龙龙;张建华
分类号 H01L21/28(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I 主分类号 H01L21/28(2006.01)I
代理机构 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人 何文欣
主权项 一种TFT电极引线制造方法,其特征在于,包括如下步骤:a. 在清洗洁净的TFT阵列玻璃基板之上溅射金属电极层;b.在上述步骤a中制备的金属电极层之上用磁控溅射方法生长一层非晶态ITO膜层材料作为ITO保护层;c. 实施光刻图形化工艺,即首先在上述步骤b中制备的ITO保护层表面上涂布一层光刻胶涂层,然后经过光刻、显影、烘烤,形成电极层引线光刻胶图形,使已经去除光刻胶的光刻胶涂层区域所对应的ITO保护层的表面相应部分裸露出来;d. 利用ITO刻蚀液,刻蚀在上述步骤c中形成的裸露的ITO保护层的相应部分,去除相应部分的ITO保护层,使剩余部分的ITO保护层形成ITO引线的图形,并使相应部分的金属电极层的表面裸露出来;e.再利用酸刻蚀液,刻蚀在上述步骤d中形成的裸露的金属电极层部分,去除相应部分的金属电极层,使剩余部分的金属电极层形成电极层引线的图形,并使相应部分的玻璃基板的表面裸露出来;f. 在完成上述步骤e的刻蚀过程后,再次利用ITO刻蚀液,刻蚀剩余的ITO保护层,对ITO引线的图形外部形状进行修饰,使ITO引线的刻蚀面与在上述步骤e中形成的电极层引线的刻蚀面之间为正的梯度角度,使ITO引线图形的刻蚀面与电极层引线的刻蚀面平滑连接,从而使经过外形修饰的ITO引线的图形与电极层引线的图形一起形成一体的棱台形状;g. 在完成上述步骤f的刻蚀过程后,剥离去除在ITO保护层之上的电极层引线光刻胶图形,使ITO保护层的表面显露出来,并清洗玻璃基板,从而完成顶栅TFT阵列基板的TFT电极引线制造过程。
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