3～5μm波段选择性低发射率的红外隐身薄膜及其制备方法

摘要

一种3～5μm波段选择性低发射率的红外隐身薄膜，可对光谱的发射辐射进行调控，实现在3.0～5.0μm的红外窗口波段的低发射率，其他波段实现高发射率；该薄膜具有多层膜结构，主要由高折射率Si材料层和低折射率MgF₂材料层交替叠加而成；其制备方法包括：先清洗衬底；然后采用射频磁控溅射的方法在衬底表面交替镀上高折射率Si材料层和低折射率MgF₂材料层；溅射镀层时适当控制衬底温度、射频溅射功率和溅射时间即可。本发明可有效解决在高温条件下红外隐身带来的隐身与散热的兼容性问题，具有工艺简单、重复性好、设备要求低等优点。

主权项

一种3～5μm波段选择性低发射率的红外隐身薄膜，其特征在于，所述红外隐身薄膜可对光谱的发射辐射进行调控，实现在3.0μm～5.0μm的红外窗口波段的低发射率，其他波段实现高发射率；所述其他波段是指的5.0μm～8.0μm波段，所述红外隐身薄膜在3.0μm～5.0μm红外窗口波段的发射率为0.1以下，所述红外隐身薄膜在5.0μm～8.0μm的非红外窗口波段的发射率达到0.5以上；所述红外隐身薄膜具有多层膜结构，主要由高折射率Si材料层和低折射率MgF₂材料层交替叠加而成；所述红外隐身薄膜具有共计7层的多层膜结构，且从最里层到最外层依次采用高折射率Si材料层和低折射率MgF₂材料层交替布置方式，且最里层和最外层均采用高折射率Si材料层。