一种分裂栅型功率MOS器件

摘要

本发明公开了一种分裂栅型功率MOS器件，特别设计器件元胞中有源区中包含P柱。该版图中P柱位于每个独立台面结构中心，且为与台面边界平行的六边形柱体，被有源区中深沟槽包围。在不增加工艺难度的基础上，保证器件的击穿电压，改善器件导通电阻，提高器件的工作可靠性。

主权项

一种分裂栅型功率金属氧化物半导体MOS器件，其特征在于：所述器件的元胞中的有源区台面中包含P柱结构，所述P柱结构位于所述台面中心；所述P柱结构为与所述台面的边界平行的六边形柱体，且被有源区中深沟槽包围；所述P柱结构的深度同所述深沟槽的深度相同，在所述有源区中，所述深沟槽结构、台面结构和P柱结构之间保持电荷量平衡；所述P柱结构的深度为7.4μm，P柱宽1.4μm，漂移区厚度7.1μm，N型杂质浓度为3.7×10¹⁶/cm³，P柱内杂质浓度为6.3×10¹⁶/cm³，沟道区厚度为0.5μm，P型杂质浓度为1.0×10¹⁷/cm³；N+源区为0.3μm，杂质浓度为1.0×10²⁰/cm³；其中厚氧厚度为0.8μm，栅氧厚度为元胞间距为5.6μm，台面宽度W/2为1.4μm。