低翘曲度的半导体衬底的制备方法

摘要

本发明提供一种低翘曲度的半导体衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供第一衬底及第二衬底，所述第一衬底具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上设置有第一绝缘层，所述第二表面上设置有第二绝缘层，所述第二衬底包括支撑层、支撑层表面的氧化层以及氧化层表面的器件层；以器件层及第一绝缘层为中间层，将第一衬底与第二衬底键合在一起；在所述第二绝缘层表面粘贴形成一保护层，所述第二绝缘层和保护层的作用在于调整所述半导体衬底的翘曲度。本发明的优点在于，在衬底的第二绝缘层表面粘贴保护层，所述保护层能够防止第二绝缘层被腐蚀，从而能有效地降低晶片的翘曲度。

主权项

一种低翘曲度的半导体衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供第一衬底及第二衬底，所述第一衬底具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上设置有第一绝缘层，所述第二表面上设置有第二绝缘层，所述第二衬底包括支撑层、支撑层表面的氧化层以及氧化层表面的器件层；以器件层及第一绝缘层为中间层，将第一衬底与第二衬底键合在一起；在所述第二绝缘层表面粘贴形成一保护层，所述第二绝缘层和保护层的作用在于调整所述半导体衬底的翘曲度，所述保护层保护所述第二绝缘层，避免所述第二绝缘层被腐蚀，所述保护层为蓝膜，所述键合步骤后，进一步包括一对第二衬底进行减薄的步骤，以去除所述支撑层，所述减薄步骤之后，进一步包括一腐蚀步骤，以去除所述氧化层。