用于堆叠管芯封装的无线电‑和电磁干扰穿透硅通孔及制造方法

摘要

装置包括有将RF管芯中的区从无线电‑电磁干扰屏蔽的屏蔽穿透硅通孔和管芯背面网格盖子的射频管芯。

主权项

一种装置，所述装置包括：射频(RF)第一管芯，包括若干穿透硅通孔(TSV)：有源表面和背面表面；所述RF第一管芯中的多个区；至少一个TSV，所述至少一个TSV传输信号、功率和接地之一(信号TSV)；以及至少一个TSV屏蔽区，位于所述多个区之中，其中所述TSV屏蔽区包括：间隔开的屏蔽TSV的屏蔽TSV围合结构，其沿所述TSV屏蔽区的至少一部分周围形成边界；网格盖子，放置在所述管芯背面上并匹配所述边界网格；第一多个屏蔽TSV；以及与所述第一多个屏蔽TSV同心的后续多个屏蔽TSV，所述后续多个屏蔽TSV交错以填充所述第一多个屏蔽TSV之间的间隙。