发明名称 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND PROGRAM
摘要 기판 상에 형성하는 막의 막질을 향상시킨다. 처리실 내의 기판에 대하여 소정 원소를 포함하는 원료를 공급하는 공정과, 처리실 내로부터 원료를 제거하는 공정과, 처리실 내의 기판에 대하여 질소, 탄소 및 수소를 포함하는 제1 반응체를 공급하는 공정과, 처리실 내로부터 제1 반응체를 제거하는 공정과, 처리실 내의 기판에 대하여 산소를 포함하는 제2 반응체를 공급하는 공정과, 처리실 내로부터 제2 반응체를 제거하는 공정을 비동시로 행하는 사이클을 소정 횟수 행함으로써, 기판 상에 막을 형성하는 공정을 갖고, 원료를 제거하는 공정의 실시 시간을, 제1 반응체를 제거하는 공정의 실시 시간보다도 길게 하거나, 또는, 제2 반응체를 제거하는 공정의 실시 시간을, 제1 반응체를 제거하는 공정의 실시 시간보다도 길게 한다.
申请公布号 KR20170007160(A) 申请公布日期 2017.01.18
申请号 KR20160086061 申请日期 2016.07.07
申请人 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 发明人 마츠오카, 다츠루;히로세, 요시로;하시모토, 요시토모
分类号 H01L21/02;H01L21/3105;H01L21/60 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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