| 发明名称 | 一种防止栅极肩部生长SiGe多余物的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种防止栅极肩部生长SiGe多余物的方法，包括：提供包含PMOS区域和NMOS区域的半导体衬底，并且在所述衬底上形成有NMOS栅极结构和PMOS栅极结构，NMOS栅极结构和PMOS栅极结构上形成有第一硬掩模，NMOS栅极结构和PMOS栅极结构的侧壁形成有第一侧墙；在PMOS区域和NMOS区域上形成第一材料层；在第一材料层上形成第二材料层；对第二材料层进行刻蚀以便在NMOS栅极结构和PMOS栅极结构侧壁形成第二侧墙；在PMOS区域和NMOS区域上形成第二硬掩模层；图案化第二硬掩模层，仅仅留下NMOS区域上的部分硬掩模层，并且利用部分硬掩模层执行刻蚀以形成PMOS区域的SiGe源漏U型沟槽；通过刻蚀使SiGe源漏U型沟槽形成为∑型沟槽，并执行PMOS源漏区SiGe外延生长。 | ||
| 申请公布号 | CN106340492A | 申请公布日期 | 2017.01.18 |
| 申请号 | CN201610985904.3 | 申请日期 | 2016.11.09 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 信恩龙;李润领;关天鹏 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 智云 |
| 主权项 | 一种防止栅极肩部生长SiGe多余物的方法，其特征在于包括：提供包含PMOS区域和NMOS区域的半导体衬底，并且在所述衬底上形成有NMOS栅极结构和PMOS栅极结构，NMOS栅极结构和PMOS栅极结构上形成有第一硬掩模，NMOS栅极结构和PMOS栅极结构的侧壁形成有第一侧墙；在PMOS区域和NMOS区域上形成第一材料层；在第一材料层上形成第二材料层；对第二材料层进行刻蚀以便在NMOS栅极结构和PMOS栅极结构侧壁形成第二侧墙；在PMOS区域和NMOS区域上形成第二硬掩模层；图案化第二硬掩模层，仅仅留下NMOS区域上的部分硬掩模层，并且利用部分硬掩模层执行刻蚀以形成PMOS区域的SiGe源漏U型沟槽；通过刻蚀使SiGe源漏U型沟槽形成为∑型沟槽，并执行PMOS源漏区SiGe外延生长。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||