| 发明名称 | CMOS-MEMS器件结构、接合台面结构和相关方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了CMOS‑MEMS器件结构。CMOS‑MEMS器件结构包括感测衬底和CMOS衬底。感测衬底包括接合台面结构。CMOS衬底包括顶部介电层。感测衬底和CMOS衬底通过接合台面结构接合，并且接合台面结构限定CMOS衬底和感测衬底之间的接合间隙。本发明提供了一种用于接合第一半导体结构和第二半导体结构的接合台面结构。此外，本发明还提供了一种制造CMOS‑MEMS器件结构的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN106335869A | 申请公布日期 | 2017.01.18 |
| 申请号 | CN201610085669.4 | 申请日期 | 2016.02.15 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 郑钧文;邓伊筌 |
| 分类号 | B81B7/02(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81B7/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种CMOS‑MEMS器件结构，包括：感测衬底，包括接合台面结构；以及CMOS衬底，包括顶部介电层；其中，所述感测衬底和所述CMOS衬底通过所述接合台面结构相接合，并且所述接合台面结构限定了所述CMOS衬底和所述感测衬底之间的接合间隙。 | ||
| 地址 | 中国台湾，新竹 | ||